The article defines the principles procedure formalization for the design of MOS-transistors in CAD.
CAD, MOS - transistors, bases of formalization.
I. Введение
В настоящее время широкое развитие получает направление импортозамещения в различных областях промышленности Российской Федерации. Не исключением является и область развития электронной компонентной базы. Поэтому разработка методов проектирования и оценки параметров новых изделий, для нанометровых диапазонов с учётом физических процессов, происходящих в проектируемой электронной компонентной базе, является своевременной и актуальной. Ввиду этого предлагаются результаты формирования 3D моделей МОП – транзисторов с использованием методов синтеза виртуальной реальности.
В настоящее время актуальной проблемой является необходимость создания электронной компонентной базы с новыми структурами, с использованием новых материалов, с применением современных нанотехнологий. Этапы проектирования, на современном этапе развития технологий, элементов электронной компонентной базы требуют большей гибкости, учёта новых параметров, геометрических параметров и структур. Ввиду этого возрастает необходимость в унификации процессов формализации проектных процедур проектирования с использованием систем автоматизации проектирования (САПР).
1. Lavlinskiy, V. V. Analiz yacheek kristallicheskikh reshetok poluprovodnikovykh materialov dlya sinteza virtual´noy real´nosti pri proektirovanii radiatsionno-stoykikh elementov elektronnoy komponentnoy bazy [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2013. – № 4. – S. 44-53.
2. Lavlinskiy, V. V. Informatsionnoe obespechenie sinteza virtual´noy real´nosti v usloviyakh nechetkogo predstavleniya kontroliruemykh parametrov pri proektirovanii informatsionnykh ob´´ektov ASTPP [Elektronnyy resurs] / V. V. Lavlinskiy, E. E. Obruchnikova, Yu. S. Serbulov. Politematicheskiy setevoy elektronnyy nauchnyy zhurnal Kubanskogo gosudarstvennogo agrarnogo universiteta. – 2012. – № 76. – S. 410-421.
3. Lavlinskiy, V. V. Osnova metoda proektirovaniya informatsionnykh ob´´ektov avtomatizatsii dlya sistem tekhnologicheskoy podgotovki proizvodstva na osnove sinteza virtual´noy real´nosti v usloviyakh nechetkogo predstavleniya parametrov [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, E. E. Obruchnikova, Yu. S. Serbulov. Vestnik Voronezhskogo gosudarstvennogo tekhnicheskogo universiteta. – 2010. – T.6. – № 11. – S. 192-198.
4. Lavlinskiy, V. V. Programmnaya realizatsiya modeley dlya sinteza virtual´noy real´nosti ASTPP dlya usloviy nechetkogo predstavleniya kontroliruemykh parametrov pri proektirovanii sistem [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, E. E. Obruchnikova. Vestnik Voronezhskogo instituta vysokikh tekhnologiy. – 2009. – № 5. – S. 184-187.
5. Lavlinskiy, V. V. Proektirovanie razlichnykh sloev kristallicheskoy reshetki elementov s ispol´zovaniem metodov ob´´ektno-orientirovannogo programmirovaniya [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, S. I. Lykov, A. S. Aushra. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2014. – № 2. – S. 16-19.
6. Lavlinskiy, V. V. Sintez virtual´noy real´nosti pri proektirovanii informatsionnykh ob´´ektov usloviyakh nechetkogo predstavleniya kontroliruemykh parametrov [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, E. E. Obruchnikova, Yu. S. Serbulov. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2011. – № 3. – S. 37-44.
7. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie issledovaniya modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti pri vozdeystvii tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. – 2014. – № 4. – S. 33-35.
8. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya komponentov dlya sistem avtomatizatsii proektirovaniya elektronnoy bazy na osnove sinteza virtual´noy real´nosti [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2013. – № 3. – S. 16-20.
9. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2013. – № 3. – S. 20-25.
10. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi yadernymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. – 2014. – № 4. – S. 24-32.
11. Zol´nikov, K. V. Sovremennoe proektirovanie elektronnoy komponentnoy bazy [Tekst] / K. V. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy. Ekonomika. Innovatsii. Upravlenie kachestvom. – 2015. – № 1 (10). – S. 40-41.
12. Lavlinskiy, V. V. Analiz funktsional´nykh vozmozhnostey SAPR Microcap na primere skhemy MOP-tranzistora [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A. Kh. Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2014. – № 1. – S. 30-37.
13. Lavlinskiy, V. V. Analiz funktsional´nykh vozmozhnostey SAPR SIMETRIX na primere skhemy MOP-tranzistora [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A. Kh. Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2014. – № 1. –S. 38-43.
14. Lavlinskiy, V. V. Analiz funktsional´nykh vozmozhnostey SAPR WORKBENCH na primere skhemy MOP-tranzistora [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A. Kh. Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2014. – № 1. –S. 43-54.
