Russian Federation
The paper considers problems of modeling the basic elements of micro-schemes, creation of mathematical, informational and software taking into account the division of responsibilities between enterprises and modeling capabilities of ionizate-organizational and structural effects.
CAD, chip, radiation
В настоящее время для проектирования БИС при-меняется как традиционная и так называемая техно-логия “разделения функций”, когда проектирование и изготовление БИС осуществляется различными пред-приятиями.
Как в первом, так и во втором случае используется подход проектирования БИС «сверху-вниз». При данном способе проектирование осуществляется, начиная с верхнего уровня – поведенческого моделирования, далее на функционально-логическое, схемотехническое, топологическое и проектирование фотошаблонов и изготовление БИС.
При использовании технологии «разделения функций» процесс проектирования проходит те же стадии, однако этап проектирования и изготовления может осуществляться различными предприятиями.
Как правило, у каждого большого предприятия электронного профиля имеется своя постоянная группа заказчиков. Заказы ориентированы на проектирование и изготовление определенного класса БИС.
В рамках данной работы рассматривается базовый набор БИС для цифровой обработки сигналов.
На начальном этапе проектирования таких БИС определяется логический и схемотехнический базис для их построения, внедряются типовые стандартные двоичные элементы (И-НЕ, ИЛИ-НЕ, триггеры и др.), осуществляется их проектирование на различных иерархических уровнях и постоянно данная библио-тека пополняется. Далее на основе стандартных ти-повых элементов проектируются базовые элементы КМОП БИС ЦОС двойного назначения, представляющие собой большие законченные функциональные блоки (ОЗУ, дешифраторы, счетчики, регистры, АЛУ и др.), которые также отрабатываются на всех уровнях процесса проектирования и уже они являют-ся основой создания КМОП БИС ЦОС.
При таком подходе процесс проектирования может быть разделен между предприятием, ориентирован-ном на проектирование базовых элементов, а окончательное проектирование БИС осуществляется другим предприятием.
В этом случае на первом этапе проектирования мо-гут использоваться АРМ на недорогих популярных ПЭВМ, которые в то же время обладают достаточной производительностью для решения задач проектирования базовых элементов БИС. С другой стороны и к математическому обеспечению проектирования базо-вых элементов БИС не предъявляется жестких требо-ваний по предельной сложности (количеству элемен-тов) и скорости вычислений.
Таким образом, в данном случае можно «приблизить» вычислительные средства к любому разработчику из-за приемлемой стоимости как аппаратных, так и программных проблемно-ориентированных средств, небольших габаритов АРМ и простоты экс-плуатации.
Однако, как показал проведенный выше анализ, наиболее популярные АРМ на ПЭВМ имеют существенные недостатки – не имеют полного набора проблемно-ориентированных программ для реализации всех этапов процесса проектирования, не в достаточной степени проработаны вопросы автоматизации преобразования структуры схемы при переходе на другой уровень моделирования, что значительно усложняет организацию сквозного цикла проектирования, и требуется развитие их лингвистического и информационного обеспечения.
Поэтому задача создания программных средств, обеспечивающих единство и непрерывность много-уровневого процесса проектирования с единой базой данных для реализации сквозного цикла проектирования с непосредственными выходами в локальные базы данных, а также все необходимые задачи по описанию, вводу, обработки и документированию проектов базовых элементов и их характеристик на основе наиболее естественных форм их представления являются актуальными.
1. Zol´nikov, V. K. Formirovanie bibliotek tipovykh elementov i SF blokov [Tekst] / V. K. Zol´nikov. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2011. – № 3. – S. 27-29.
2. Mezhov, V. E. Algoritmy konstruktorskogo proektirovaniya bazovykh elementov radiatsionno-stoykikh BIS [Tekst] / V. E. Mezhov, P. R. Mashevich, Yu. K. Fortinskiy, V. K. Zol´nikov// Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. – 2005. – № 1-2. – S. 125-126.
3. Yan´kov, A. I. Metody obespecheniya sboeustoychivosti k odinochnym sobytiyam v protsesse proektirovaniya dlya mikroprotsessorov K1830BE32UM i 1830VE32U [Tekst] / A. I. Yan´kov, V. A. Smerek, V. P. Kryukov, V. K. Zol´nikov. Modelirovanie sistem i protsessov. –2012. – № 1. – S. 92-95.
4. Zol´nikov, V. K. Proektirovanie mikroskhem s uchetom radiatsionnogo vozdeystviya [Tekst] / V. K. Zol´nikov, V. P. Kryukov, A. I. Yan´kov. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. – 2009. – № 02. – S. 28-30.
5. Potapov, I. P. Sredstva avtomatizatsii proektirovaniya radiatsionno-stoykoy elementnoy bazy [Tekst] / I. P. Potapov, A. V. Achkasov, V. K. Zol´nikov. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. – 2006. – № 1-2. – S. 147-148
