В статье изложены методика получения пористых слоёв в полупроводниках A3B5 группы и описана технологическая возможность создания на основе данных пористых слоёв сенсоров различного назначения с применение электроадгезионного контакта
полупроводники, сенсоры, датчики, травление, пористые полупроводники, транспорт, электроадгезионный контакт
1. Александрова О.А., Алешин А.Н., Белорус А.О., Бобков А.А., Гузь А.В., Кальнин А.А., Кононова И.Е., Левицкий В.С., Мазинг Д.С., Мараева Е.В., Матюшкин Л.Б., Москвин П.П., Мошников В.А., Муратова Е.Н., Налимова С.С., Пономарева А.А., Пронин И.А., Спи-вак Ю.М. Новые материалы. Синтез. Диагностика. Моделирование: лабораторный практи-кум. Санкт-Петербург, 2015.
2. Волков В.П., Кривошапов С.И. Расчёт выбросов вредных веществ на транспорте // Альтернативные источники энергии в транспортно-технологическом комплексе: проблемы и перспективы рационального использования. 2015. Т. 2. № 1. С. 165-169.
3. Кошевой В.Л., Белорус А.О., Левицкий В.С. Исследование кристалличности для плёнок mc-Si, полученных методом PECVD, с помощью рамановской спектроскопии // Международный научный журнал Альтернативная энергетика и экология. 2015. № 19 (183). С. 118-123.
4. Белорус А.О., Кошевой В.Л., Спивак Ю.М., Левицкий В.С., Мошников В.А “Ис-следование фотолюминесценции пористого кремния, полученного методом фотоэлектриче-ского травления” Международный научный журнал Альтернативная энергетика и экология. 2015. № 23 (187). С. 126-132.
5. Koshevoi V.L., Belorus A.O., Levitskiy V.S., Pshchelko N.S. “ The study of the phase composition of polymorphous silicon film by Raman spectroscopy” IEEE NW Russia Young Re-searchers in Electrical and Electronic Engineering Conference (EIConRusNW) 2016, P. 62-64.
6. Мошников В.А., Спивак Ю.М., Глава 5. «Электрохимические методы получения пористых материалов для топливных элементов» Основы водородной энергетики / Под ред. В.А. Мошникова и Е.И. Терукова. 2-е изд. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2011. 288с.
7. Заварицкая Т.Н., Караванский В.А., Квит А.В., Мельник Н.Н. “Исследования структуры пористого фосфида галлия” Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2, C. 235 – 240
8. Зотеев А.В., Кашкаров П.К., Образцов А.Н., Тимошенко В.Ю. “Электрохимическое формирование и отпические свойства пористого фосфида галлия” Физика и техника полу-проводников Т.30, № 8, C. 1473 – 1478.
9. Кашкаров П.К., Головань Л.А., Заботнов С.В. и др. “Увеличение эффективности нелинейно-оптических взаимодействий в наноструктурированных полупроводниках” Фи-зика твердого тела, 2005, том 47, № 1, C. 153 – 159.
10. Белогорохов А.И., Караванский В.А., Образцов А.Н., Тимошенко В.Ю. “Интен-сивная фотолюминесценция в пористом фосфиде галлия” Письма в ЖЭТФ, Т.60, № 4, С. 262 – 266.
11. Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. “ Оптические фононы в цилиндрических нитях пористого GaP” Физика твердого тела, 2001, том 43, № 9, C. 1693 – 1697.
12. Головань Л.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. “Оптические свойства наноком-пазитов на основе пористых систем” Успехи физических наук, обзоры актуальных проблем, 2007, Т. 117, № 6, С. 619 – 638.
13. Stevens-Kalceff M.A., Langa S., Tiginyanu I.M., Carstensen J. and others. “ Compara-tive SEM and Cathodoluminescence Microanalysis of Porous GaP Structures”.
14. Tjerkstra R. W. “Electrochemical Formation of Porous GaP in Aqueous HNO3” // Elec-trochemical and Solid-State Letters 2006, 9 (5), P. 81- 84.
15. Бачериков Ю.Ю. ¶, Охрименко О.Б., Оптасюк С.В., Яценко Ю.И. и др. “Фотолю-минесценция наночастиц CdSe в пористом GaP” Физика и техника полупроводников, 2009, том 43, № 11, C. 1473 – 1476.
16. Дяденчук А.Ф., Кидалов В.В. “ Использование пористых соединений А3В5 для обкладок суперконденсатора” Журнал нано – и электронной физики Т. 7, № 1, 01021(4cc) (2015)
17. Заварицкая Т.Н., Караванский В.А., Квит А.В., Мельник Н.Н. “Исследования структуры пористого фосфида галлия” физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2
18. Плазмохимическое осаждение (PECVD) [Электронный ресурс]// Intech – Режим доступа: http://www.plasmasystem.ru/technology/pecvd
19. Афанасьев В. П., Теруков Е. И., Шерченков А. А. “Тонкопленочные солнечные элементы на основе кремния” 2-е изд.СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2011. 168 с.
20. Грачева И. Е., Карпова С.С, Мошников В.А., Пщелко Н.С. “Сетчатые иерархиче-ские пористые структуры с электроадгезионными контактами “ Известия СПбГЭТУ "ЛЭТИ". - 2010. - № 8. - С. 27-32.
21. Жабрев В.А., Мошников В.А., Пщелко Н.С., Томаев В.В. “Адгезионное упрочне-ние покрытий металл – стекло” Температуроустойчивые функциональные покрытия: Труды 18-го совещания по температуроустойчивым функциональным покрытиям. Тула, 2001. Ч.1. С.182-187
22. Пщелко Н. С. “Электрофизические методы неразрушающего контроля и формирования ме-таллодиэлектрических структур” автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук, Санкт-Петербург 2011.
