Россия
В статье рассматриваются математические зависимости EKV модели для формализации процедур проектирования МОП – транзисторов. Представленные математические зависимости используются для оценки электрических параметров электронной компонентой базы. Кроме того, данные модели подтверждают возможность 3D моделирования структур в виде отдельных элементов электронной компонентной базы.
Формализация процедур проектирования, САПР, МОП – транзисторы, математические зависимости, EKV модель
1. Макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП - транзисторов, учитывающая радиационные эффекты / К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский, А.С. Адонин – Режим доступа: http://miem.hse.ru/data /2013/01/23/1306490252/ 8_Петросянц_EKV_rad.pdf. - Загл. с экрана.
2. Simulation of total dose influence on analog-digital SOI/SOS CMOS circuits with EKV-RAD macromodel / K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, L. M. Sambursky, V. N. Bogatyrev, Z. M. Povarnitcyna, E. S. Drozdenko // В сборнике: Proceedings of IEEE East-West Design and Test Symposium, EWDTS. – 2013. – С. 667.
3. Christian, C. Charge-based MOS Transistor Modeling The EKV model for low-power and RF IC design / Christian C. Enz Eric A. Vittoz // John Wiley & Sons, Ltd. – P. 328.
4. The EPFL-EKV MOSFET model equations for simulation. – Режим доступа: http://files.lib.sfu-kras.ru/ebibl/umkd/48/Accesories/Orcad%209%20DEMO/Document/ekv26.pdf. – Загл. с экрана.
5. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования компонентов для систем автоматизации проектирования электронной базы на основе синтеза виртуальной реальности / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. – 2013. – № 3. – С. 16-20.
6. Обзор программ для САПР субмикронных СБИС / В. А. Скляр, К. В. Зольников, В. В. Лавлинский, С. А. Евдокимова, В. И. Анциферова // Моделирование систем и процессов. – 2013. – № 2. – С. 72-76.
7. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми ядерными частицами / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. – 2014. – № 4. – С. 24-32.
8. Лавлинский, В. В. Теоретические исследования моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности при воздействии тяжёлыми заряженными частицами / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. – 2014. – № 4. – С. 33-35.
9. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми заряженными частицами / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. – 2013. – № 3. – С. 20-25.
10. Лавлинский, В. В. Алгоритм формализации МОП-транзистора для объектно-ориентированного языка программирования / В. В. Лавлинский, А. Х. Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. – 2016. – Т. 9, № 2. – С. 5-14.
11. Лавлинский, В. В. Основы формирования 3D моделей для проектирования современных МОП-транзисторов с использованием синтеза виртуальной реальности / В. В. Лавлинский, А. Х. Х. Жвад, А. Л. Савченко // Моделирование систем и процессов. – 2015. – Т. 8, № 3. – С. 59-64.
12. Моделирование ионизационных эффектов и эффектов смещения в цифровых микросхемах для САПР / В. К. Зольников, В. В. Лавлинский, Ю. А. Чевычелов, Ю. С. Сербулов, В. И. Анциферова, В. Н. Ачкасов, Ю. Г. Табаков // Лесотехнический журнал. – 2014. – Т.4, №4 (16). – С. 280-291.
