Россия
Россия
Россия
Россия
Россия
Статья посвящена анализу блоков RISC-процессора на сбоеустойчивость, который был проведен на примере процессора 1890ВМ2Т. В работе приведено описание структурной схемы данного процессора и методики оценки сбоеустойчивости модуля умножения-деления MDUnit. По результатам оценки сбоеустойчивости построены зависимости значений долей ложных результатов и сформулированы требования к архитектуре функциональных блоков.
RISC-процессор, интегральные схемы, микросхема 1890ВМ2Т, модуль умножения-деления, сбоеустойчивость.
1. Зольников, К. В. Современное проектирование электронной компонентной базы / К. В. Зольников, В. В. Лавлинский // Экономика. Инновации. Управление качеством. – 2015. – № 1 (10). – С. 40-41.
2. Схемотехнический базис и проверка микросхем на работоспособность / В. К. Зольников, С. А. Евдокимова, А. В. Фомичев, В. Н. Чикин, А. В. Ачкасов, В. Ф. Зинченко // Моделирование систем и процессов. – 2018. – Т. 11, № 4. – С. 25-30.
3. Смерек, В. К. Модель физических процессов в элементах СБИС при воздействии тяжелых заряженных частиц / В. К. Смерек, В. К. Зольников, К. И. Таперо // Моделирование систем и процессов. – 2010. – № 1-2. – С. 41-48.
4. Зольников, В. К. Методика проектирования радиационно-стойких интегральных схем / В. К. Зольников, В. Н. Ачкасов, В. П. Крюков // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. – 2004. – № 1-2. – С. 57-60.
5. Обобщенная методика проектирования технических блоков высоконадежных программно-технических комплексов специального назначения / В. К. Зольников, Д. М. Уткин, С. А. Евдокимова, В. И. Анциферова // Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2014» : сборник тезисов докладов 17-й Всероссийской научно-практической конференции по радиационной стойкости электронных систем. – М. : Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», 2014. – С. 71-72.
6. Методы обеспечения стойкости микросхем к одиночным событиям при проектировании радиационно-стойких микросхем / В. Н. Ачкасов, В. А. Смерек, Д. М. Уткин, В. К. Зольников // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). – 2012. – № 1. – С. 634-637.
7. Алгоритмическая основа моделирования и обеспечения защиты типовых КМОП элементов в процессе проектирования / В. К. Зольников, В. А. Смерек, В. И. Анциферова, С. А. Евдокимова // Моделирование систем и процессов. – 2013. – № 3. – С. 14-16.
8. Смерек, В. А. Оценка сбоеустойчивости интегральных схем от воздействия тяжелых заряженных частиц в цифровых микросхемах на стадии проектирования / В. А. Смерек, Д. М. Уткин, В. П. Крюков // Моделирование систем и процессов. – 2011. – № 4. – С. 71-75.
9. Кононов, В. С. Особенности проектирования многоразрядных КМОП-КНИ-АЦП для создания многоканальных высокоскоростных систем ЦОС с повышенной сбоеустойчивостью / В. С. Кононов // Моделирование систем и процессов. – 2019. – Т. 12, № 3. – С. 59-64.
10. Моделирование ионизационных эффектов и эффектов смещения в цифровых микросхемах для САПР / В. К. Зольников, В. В. Лавлинский, Ю. А. Чевычелов, Ю. С. Сербулов, В. И. Анциферова, В. Н. Ачкасов, Ю. Г. Табаков // Лесотехнический журнал. – 2014. – Т. 4, № 4 (16). – С. 280-291.
11. Зольников, В. К. Верификация проектов и создание тестовых последовательностей для проектирования микросхем / В. К. Зольников, С. А. Евдокимова, Т. В. Скворцова // Моделирование систем и процессов. – 2019. – Т. 12, № 1. – С. 10-16.
12. Модель радиационных эффектов воздействия тяжелых заряженных частиц в КМОП-элементах микросхем / К. В. Зольников, К. И. Таперо, В. А. Смерек, Т. П. Беляева // Программные продукты и системы. – 2011. – № 3. – С. 4.
13. Аналитический метод оценки эффективности одного способа повышения сбоеустойчивости микропроцессорных систем / Ю. С. Акинина, Ю. Ю. Громов, В. К. Зольников, А. Ю. Кулай, С. В. Тюрин, М. А. Худяков // Промышленные АСУ и контроллеры. – 2018. – № 7. – С. 41-48.
14. Защита микропроцессоров от одиночных сбоев / В. А. Смерек, В. М. Антимиров, А. Ю. Кулай, А. Л. Савченко // Моделирование систем и процессов. – 2018. – Т. 11, № 2. – С. 71-77.
