Россия
В статье приводится подход проектирования различных слоёв кристаллических решёток для формирования структуры из элементов таблицы системы Менделеева
информационная система, проектирование, программная среда, модель, синтез виртуальной реальности
I. Введение
В настоящее время широкое развитие имеет направление формирования моделей с использованием синтеза виртуальной реальности. Для этого применяются высокоуровневые языки программирования, объектно-ориентированные языки программирования, язык VRML, UNITY4, 3DMAX. Их задача состоит в том, чтобы адекватно отразить процессы, происходящие на макро или микро уровнях. В связи с тем, что современные технологии, используемые при разработке полупроводниковых устройств, переходят на наноуровни, то требуются средства и методы, позволяющие учитывать те, процессы, которые происходят на уровнях кристаллических решёток отдельных элементов.
Ввиду этого возникает задача разработки программного модуля для проектирования различных слоёв кристаллической решётки с целью графического отображения их на экране монитора в зависимости от особенностей структур выбранных элементов и с целью дальнейшего формирования моделей на основе синтеза виртуальной реальностью. Именно этим вопросам посвящена данная работа.
II. Проектирование различных слоёв кристаллической решётки
Исходя из теоретических основ для электронной структуры атомов, предлагается формирование структурной решётки с применением полупроводниковых материалов.
В этом случае необходимо определять типы решёток атомов отдельных элементов и осуществлять анализ ячеек кристаллических решёток полупроводниковых материалов для дальнейшего проектирования радиационно-стойких элементов электронной компонентной базы [1-5].
Базируясь на данном материале, была разработана информационно-справочная система, являющаяся поставщиком исходных данных для формирования кристаллической решётки элементов. Основным параметром для формирования кристаллической решётки элемента в информационно-справочной системе является радиус атома элемента, тип кристаллической решётки, период решётки.
Основная форма информационно-справочной системы представлена на рис. 1, где имеются основные параметры элементов, используемые для дальнейшего формирования графического отображения кристаллической решётки по отдельным слоям.
Рис. 1. Основная форма информационно-справочной системы для формирования отдельных слоёв кристаллических решёток элементов таблицы Менделеева
1. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования компонентов для систем автоматизации проектирования электронной базы на основе синтеза виртуальной реальности [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. – 2013. – № 3. – С. 16-20.
2. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирова-ния проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми заряженными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. – 2013. – № 3. – С. 20-25.
3. Лавлинский, В. В. Анализ ячеек кристаллических решёток полупроводниковых материалов для синтеза виртуальной реальности при проектировании радиационно-стойких элементов электронной компонентной базы [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. – 2013. – № 4. – С. 44-53.
4. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми заряженными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на РЭА. – 2014. – №3. – С.25-35.
5. Лавлинский, В. В. Теоретические исследования моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности при воздействии тяжёлыми заряженными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на РЭА. – 2014. – №3. – С. 36-41.
