МОДЕЛИРОВАНИЕ РАБОТЫ ЭЛЕМЕНТОВ СБИС НА СХЕМОТЕХНИЧЕСКОМ УРОВНЕ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ТЗЧ
Аннотация и ключевые слова
Аннотация (русский):
Рассматриваются эквивалентная схема замещения для моделирования работоспосбности элементов СБИС на схемотехническом уровне. Предложены математические соотношения для данного процесса.

Ключевые слова:
САПР, ток ионизации, локальные радиационные эффекты
Текст

 

Моделирование воздействия ТЗЧ на схемотехническом уровне заключается во внесении в эквивалентную схему замещения дополнительных генераторов тока, ёмкостей, паразитных биполярных транзисторов и резисторов, которые с некоторой частотой включаются в работу [1].

 

Для этого к стандартной модели транзистора КМОП (рис. 1) добавляется генератор тока ионизации () сопротивление подложки между контактом к ней и стоковым p-n переходом (R) и паразитный транзистор (VT).

 

 

Рис. 1. Модель транзистора КМОП с генератором тока ионизации

 

Генератор тока описывается стандартной функцией, имеющейся в пакете Сadence на основе экспоненциальной функции, так как она практически точно повторяет ток ионизации, теоретически описанный в предыдущей главе. Импульс тока экспоненциальной формы условно разбит на три участка, которые соответствуют току ионизации в состоянии «до», «в процессе воздействия ТЗЧ» и «после воздействия ТЗЧ». Тогда генератор тока задается списком параметров EXP (y1, y2, td, tcr, tr, tfr) и соответствует выражению [2]:

 

(1)

 

Список литературы

1. Зольников, К. В. Моделирование работы компонентов микросхем в условиях воздействия радиации в САПР [Текст] / К. В. Зольников, Ю. А. Чевычелов // Моделирование систем и процессов. – 2013. – № 2. – С. 14-17.

2. Яньков, А. И. Результаты исследования сбоеустойчевого процессора серии 1867 [Текст] / А. И. Яньков, А. В. Ачкасов, К. В. Зольников, М. В. Конарев, Н. А. Орликовский // Моделирование систем и процессов. – 2013. – № 4. – С. 72-74.

Войти или Создать
* Забыли пароль?