В работе определяются реакции микросхем на воздействие внешних дестабилизирующих факторов. Проводится расчет показателей стойкости и надежности
САПР, радиация, микросхема
1. Скляр, В. А. Развитие технологии и платформ проектирования при топологических нормах менее 90 нм [Текст] / В. А. Скляр, К. В. Зольников, В. В. Лавлинский, К. И. Таперо, А. И. Озеров // Моделирование систем и процессов. – 2012. – № 4. – С. 72-76.
2. Зольников, В. К. Разработка схемотехнического и конструктивно-технологического базиса ЭКБ [Текст] / В. К. Зольников, А. А. Стоянов // Моделирование систем и процессов. – 2011. – № 1-2. – С. 28-30.
3. Скляр, В. А. Обзор средств САПР для субмикронных СБИС [Текст] / В. А. Скляр, К. В. Зольников, И. В. Нагорный, В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. – 2012. – № 1. – С. 60-64.
4. Скляр, В. А. Проблема целостности сигнала: характеризация и моделирование процессов в САПР [Текст] / В. А. Скляр, В. К. Зольников, А. И. Яньков, Ю. А. Чевычелов, В. Ф. Барабанов // Моделирование систем и процессов. – 2013. – № 2. – С. 67-72.
5. Уткин, Д. М. Интеграция параметров надежности в средства автоматизированного проектирования программно-технических комплексов специального назначения [Текст] / Д. М. Уткин // Системы управления и информационные технологии. – 2013. – №4(54) – С. 70-74
