Представлены результаты применения разработанной и интегрированной в программный продукт компании Cadence компактной модели МОП - транзистора для оценки радиационной стойкости схемы токового зеркала и 6Т SRAM со схемой управления чтением/записью при совместном или раздельном воздействии рентгеновского и нуклидного 60Co источников ионизирующего излучения.
радиационная стойкость, ионизирующее излучение, приборно-технологическое моделирование, САПР, SPICE, модель, полевой транзистор, Verilog-A, токовое зеркало, 6Т
1. Динс Д. Радиационные эффекты в твердых телах. М. : Изд-во иностранной литературы, 1960. 243 с.
2. Starchenko E. I. Features of the circuitry of operational amplifiers hardened to neutrons flux effects. In : Microprocessing Analog and Digital systems : Design and Circuit Engineering, Theory and Applications: Third International Scientific and Practical Conference (Platov South-Russian State Polytechnic University, Novocherkassk, 2003). 2003. P. 19-23.
3. Baumann R., Kruckmeyer K. Radiation handbook for electronics : A compendium of radiation effects topics for space, industrial and terrestrial applications. Dallas : TI, 2019. 117 p.
4. Hughes H., Benedetto J. Radiation effects and hardening of MOS technology : devices and circuits // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2003. 50 (3). P. 500-521.
5. Кузнецов Н. В. Радиационная опасность на околоземных орбитах и межпланетных траекториях космических аппаратов. М. : НИИЯФ МГУ. 2006. [Электронный ресурс]. Режим доступа: http://nuclphys.sinp.msu.ru/crd (дата обращения: 09.01.2020).
6. Chauhan Y. S., Niknejad Ali M., Hu C. BSIM4 4.8.1 MOSFET Model. Berkeley : University of California, 2017. 177 p.
