Россия
, Россия
Россия
УДК 621.3 Электротехника
Работа посвящена исследованию радиационного воздействия на микросхемы памяти FRAM. Рассматриваются эффекты от попадания в микросхемы тяжелых заряженных частиц, проанализированы результаты в статическом и динамическом режимах. В статистическом режиме чувствительность FRAM не показала каких-либо зависимостей от рисунка данных, но показала взаимосвязь с флюенсом. При динамическом режиме порядок доступа к ячейкам памяти не влияет на чувствительность памяти. Приведены зависимости тока потребления от дозы излучения и времени отжига после облучения. Показана карта эффектов, демонстрирующая область в виде двух полос, чувствительную к лазеру. Согласно ее относительной площади – это периферическая логика устройства. Проведенные исследования подтвердили полезность только нескольких карт эффектов. Это согласуется с результатами испытаний на воздействие тяжелых заряженных частиц.
Радиационное воздействие, микросхемы FRAM, электронная компонентная база, тяжелые заряженные частицы, ионизационное излучение.
1. Total ionizing dose effects of 60Co γ-rays radiation on Hf xZr1−xO2 ferroelectric thin film capacitors / Q. Sun, J. Liao, Q. Peng [et al.] // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. – 2020. – Vol. 31(3). – Pp. 2049-2056. – DOI: 10.1007/s10854-019-02724-9.
2. Метод и алгоритм поиска дефектов для радиационно-стойких микросхем / К.В. Зольников, В.А. Скляр, В.П. Крюков [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. – 2014. – № 2. – С. 10-13.
3. Effects of total ionizing dose on single event effect sensitivity of FRAMs / Q. Ji, J. Liu, D. Li [et al.] // Microelectronics Reliability. – 2019. – Vol. 95. – Pp. 1-7. – DOI: 10.1016/j.microrel.2019.02.010.
4. Анализ проблем моделирования элементов КМОП БИС / В.К. Зольников, С.А. Евдокимова, А.В. Фомичев [и др.] // Моделирование систем и процессов. – 2018. – Т. 11, № 4. – С. 20-25. – DOI: 10.12737/article_5c79642bd56f27.90584496.
5. Total ionizing dose effect of ferroelectric random access memory under Co-60 gamma rays and electrons / L. Qin, H.-X. Guo, F.-Q. Zhang [et al.] // Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica. – 2018. – Vol. 67(16). – C. 166101. – DOI: 10.7498/aps.67.20180829.
6. Slimani, M. Evaluation of total ionizing dose effects on commercial FRAMs / M. Slimani, J.-M. Armani, R. Gaillard // 2018 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference, NSREC 2018. – 2018. – C. 8584287. – DOI: 10.1109/NSREC.2018.8584287.
7. Overview of radiation effects on emerging non-volatile memory technologies / I.S. Fetahović, E.Ć. Dolićanin, D.R. Lazarević, B.B. Lončar // Nuclear Technology and Radiation Protection. – 2017. – T. 32(4). – Pp. 381-392. – DOI: 10.2298/NTRP1704381F.
8. SOI CMOS, SiGe BiCMOS, GaAs HBT and GaAs PHEMT Technologies Characterization for Radiation-Tolerant Microwave Applications / D.I. Sotskov, A.G. Kuznetsov, V.V. Elesin [et al.] // SIBCON 2021 – International Siberian Conference on Control and Communications. – 2021. – C. 9438923. – DOI: 10.1109/SIBCON50419.2021.9438923.
9. Методика оценки ресурса изделий при радиационном воздействии / К.В. Зольников, С.А. Евдокимова, А.С. Ягодкин [и др.] // Современные аспекты моделирования систем и процессов : сборник материалов Всероссийской научно-практической конференции. - Воронеж, 2021. - С. 247-252. - DOI: 10.34220/MAMSP_247-252.
10. Новикова, Т.П. Управление процессом испытаний электронной компонентной базы и оценка средств его обеспечения / Т.П. Новикова, В.К. Зольников // Научно-технический вестник Поволжья. - 2018. - № 11. - С. 235-238.
11. Результаты оценки надежности микросхемы 1921ВК028 / В.К. Зольников, С.А. Евдокимова, Е.В. Грошева, А.И. Яньков // Моделирование систем и процессов. – 2019. – T. 12, № 4. – С. 37-41. – DOI: 10.12737/2219-0767-2020-12-4-37-41.
12. Результаты оценки надежности микросхемы 1921ВК035 / В.К. Зольников, С.А. Евдокимова, Е.В. Грошева, А.И. Яньков // Моделирование систем и процессов. – 2019. – T. 12, № 4. – С. 42-46. – DOI: 10.12737/2219-0767-2020-12-4-42-46.
13. Inter-device radiation-induced leakages in the bulk 180-nm CMOS technology / A.B. Boruzdina, Y.M. Gerasimov, N.G. Grigor’ev [et al.] // Russian Microelectronics. – 2019. – Vol. 48(4). – Pp. 268-272. – DOI: 10.1134/S1063739719030028.
14. MOSFETS SEB SEGR qualification results with SOA estimation / S.A. Iakovlev, V.S. Anashin, A.E. Koziukov [et al.] // 2017 17th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, RADECS 2017. - Space to Ground and Below. - 2019. - С. 8696132. - DOI: 10.1109/RADECS.2017.8696132.
15. Dovgalenko, G. Adaptive wireless sensor for aerospace application / G. Dovgalenko, K. Altintepe // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. – 2018. – Vol. 10695. – C. 1069504. – DOI: 10.1117/12.2312526.
16. Методы обеспечения стойкости электронной компонентной базы в части обратимых одиночных событий / А.Е. Козюков, Г.А. Распопов, А.И. Яньков [и др.] // Моделирование систем и процессов. – 2021. – Т. 14, № 1. – С. 27-32. – DOI: 10.12737/2219-0767-2021-14-1-27-32.
17. Новикова, Т.П. Разработка алгоритма решения задач управления последовательностью испытаний электронной компонентной базы / Т.П. Новикова // Научно-технический вестник Поволжья. - 2018. - № 8. - С. 85-87.
18. Богданов, Д.С. Радиационная стойкость радиоэлектронного устройства в условиях космического пространства / Д.С. Богданов, И.А. Богданова, А.Н. Волныкин // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. - 2019. - № 70. - С. 107-117. - DOI: 10.21667/1995-4565-2019-70-107-117.
19. Отработка методики бесконтактного нагрева кристаллов ЭКБ при испытаниях на стойкость к одиноким радиационным дефектам / Е.В. Митин, Е.Н. Некрасова, В.С. Анашин, А.Е. Козюков // Петербургский журнал электроники. - 2017. - № 2-3 (87-88). - С. 117-122.
