Россия
— В работе представлены некоторые конструктивно-технологические решения, позволившие улучшить рабочие характеристики диодов Шоттки, а также принципиально повысить их устойчивость к ионизирующему излучению. Для проверки сделанных расчетов были изготовлены макетные образцы диодов с барьером Шоттки (максимально допустимая плотность среднего прямого тока – 100 А/см2, максимально допустимое обратное напряжение – 150 В). В ходе исследований определена оптимальная конструкция рабочей части диода Шоттки, усовершенствована конструкция периферийной области, оптимизирована технология создания контакта металл-полупроводник. В ходе проведенных испытаний полученных макетных образцов диодов было установлено, что функциональные характеристики, а также стойкость к ионизирующему излучению, оказались на уровне или лучше заявленных требований.
Диод Шоттки, радиационное излучение, конструктивно-технологические решения
I. Введение
Освоение космического пространства и ядерные исследования предъявляют особые требования к защите электронной аппаратуры от ядерного и ионизирующего излучения, что в свою очередь создает необходимость в разработке полупроводниковой компонентной базы (диоды, транзисторы, интегральные микросхемы и др.) стойкой к воздействию специальных факторов.
Одним из важнейших направлений в этой области является разработка и освоение в производстве диодов с барьером Шоттки. Это обусловлено растущим спросом на данный тип изделий со стороны потребителей, которые предъявляют к ним особые требования по стойкости к специальным факторам.
1. Улимов, В. Н. Базовые механизмы формирования радиационных эффектов в п/п, ИС и РЭА [Текст] / В. Н. Улимов. – Доклад на конференции 2010г. (г. Пицунда)
2. Козлов, В. А. Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и α-частицами [Текст] / В. А. Козлов, В. В. Козловский // Физика и техника полупроводников. – 2001. – Том 35, вып. 7. – С. 769-795.
3. Рахматов, А. З Влияние проникающей радиации на параметры крениевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода [Текст] / А. З. Рахматов, М. Ю. Ташметов, Л.С. Сандлер // Вопросы атомной науки и техники. – 2001. – № 4. – С. 26-33.
4. Саакян, В. А. Действие различных видов облучния на параметры кремниевых полупроводниковых приботов [Текст] // Известия НАН Армении. Физика. – 2008. –Т. 43. – № 5. – С. 348-354.
5. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов [Текст] / С. Зи. – М. : «Мир», 1984. – 456 с.
