УПРАВЛЕНИЕ СКОРОСТЬЮ НАРАСТАНИЯ ОБРАТНОГО НАПРЯЖЕНИЯ ПРИ ИСПЫТАНИИ ДИОДОВ ШОТТКИ
Авторы:
1.
Брянский государственный технический университет
Тип:
Статья конференции
Опубликовано:
22.12.2018
Классификаторы:
УДК 62 Инженерное дело. Техника в целом. Транспорт
ГРНТИ 50.51 Автоматизация проектирования
ББК 302 Проектирование
ТБК 5136 Системы автоматического проектирования
ГРНТИ 50.51 Автоматизация проектирования
ББК 302 Проектирование
ТБК 5136 Системы автоматического проектирования
Язык материала:
русский
Ключевые слова:
simulation, parameters, Schottky diodes, automated control
Аннотация (русский):
The possibility of programmed control of the rate of rise of reverse voltage with automated control of the parameters of Schottky diodes was confirmed using computer simulation.
The possibility of programmed control of the rate of rise of reverse voltage with automated control of the parameters of Schottky diodes was confirmed using computer simulation.
Ключевые слова:
simulation, parameters, Schottky diodes, automated control
simulation, parameters, Schottky diodes, automated control
1. Cree SiC Power White Paper: The Characterization of dV/dt Capabilities of Cree SiC Schottky diodes using an Avalanche Transistor Pulser. Sep. 2015. https://www.wolfspeed.com/power/tools-and-support/white-papers
2. Брюхно, Н. Исследование стойкости SiC-диодов Шоттки ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» к скорости нарастания обратного напряжения/ Н. Брюхно, В. Громов, А. Демидов и др. //Силовая электроника. ‒ 2018. ‒ №2. ‒ С.10 – 13.
3. Van Brunt E., Wang G., Liu J. et al. Operation of 4H-SiC Schottky diodes at dV/dt values over 700 kV/μs. Proceedings of the 2016 28 th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD). June 12 – 16, 2016, Prague, Czech Republic.
