Аннотация и ключевые слова
Аннотация (русский):
Рассмотрены проблемы создания модели нелинейной емкости затвор сток МОП-транзистора, предложена схема измерения этой емкости в области отрицательных напряжений сток-затвор, построена зависимость емкости затвор-сток от напряжения для транзистора IRF540N и предложена аппроксимирующая функция, которую можно использовать при создании модели МОП-транзистора.

Ключевые слова:
МОП-транзистор, емкость затвор-сток, измерительный RLC-мост, экспоненциальная функция
Текст
Текст произведения (PDF): Читать Скачать
Список литературы

1. Конюшенко, И. Основы устройства и применения силовых МОП-транзисторов (MOSFET) // Силовая электроника. – 2011. – № 2. –С. 10–14.

2. Амелин, С.А. Разновидности SPICE-моделей транзисторов с изолированным затвором/ С.А. Амелин, М.А. Амелина //Энергетика, информатика, инновации – 2017: сб. трудов VII-ой Межд. науч.-техн. конф.: в 3 т. Т. 2. – С. 15–20.

Войти или Создать
* Забыли пароль?