Россия
Россия
Воронеж, Воронежская область, Россия
В статье рассматривается современное состояние и основные перспективные направления научных и практических разработок в области радиоэлектроники. Для космического применения мехатронных систем микросхемы характеризуется многономенклатурными малообъемными показателями. Для создания высоконадежной электронной компонентной базы необходимо обеспечивать стойкости к полям ионизирующего излучения космоса, широкому диапазону температур и механических напряжений. Это требует создания ЭКБ космического применения, стойкие к данным внешним воздействующим факторам.
электронное устройство, элементная база, микросхема, электронная промышленность, системы связи и управления
1. Расчет изменения схемотехнических параметров при воздействии низкоинтенсивного излучения факторов космического пространства / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. П. Крюков, А. С. Грошев, К. А. Чубур // Моделирование систем и процессов. – 2015. – Т. 8, № 3. – С. 27-31.
2. Алгоритмическая основа моделирования отказов на глубоко-субмикронных технологиях / К. В. Зольников, А. И. Яньков, А. В. Ачкасов, К. А. Чубур // Моделирование систем и процессов. –2015. – Т. 8, № 1. – С. 15-17.
3. Методы контроля надежности при разработке микросхем / К.В. Зольников, С.А. Евдокимова, Т.В. Скворцова, А.Е. Гриднев // Моделирование си-стем и процессов. – 2020. – Т. 13, № 1. – С. 39-45.
4. Определение мероприятий по программе обеспечения качества работ проектирования и серийного производства микросхем и оценки их эффективности на примере СБИС 1867ВН016 / К.В. Зольников, А.С. Ягодкин, С.А. Евдокимова, Т.В. Скворцова // Моделирование систем и процессов. – 2020. – Т. 13, № 1. – С. 46-53.
5. Разработка проектной среды и оценка технологичности производства микросхемы с учетом стойкости к специальным факторам на примере СБИС 1867Ц6Ф / В.А. Скляр, В.А. Смерек, К.В. Зольников, Д.Н. Чернов, А.С. Ягодкин // Моделирование систем и процессов. – 2020. – Т. 13, № 1. – С. 77-82.
6. Савченко, А.Л. Анализ существующих моделей и алгоритмов для проектирования сложных функциональных блоков, стойких к воздействию тяжелых заряженных частиц / А.Л. Савченко // Моделирование систем и процессов. – 2019. – Т. 12, № 1. – С. 79-86.
7. Ягодкин, А.С. Математические модели дозовых эффектов электронной компонентной базы космического назначения / А.С. Ягодкин, В.И. Анциферова, Д.И. Владимиров // Моделирование систем и процессов. – 2019. – Т. 12, № 1. – С. 93-101.
8. Алгоритмы объединения информации о web-страницах с фоновыми онтологическими знаниями / Е.В. Коновальчук, В.В., Лавлинский С.Н. Яньшин, И.А. Земцов, О.Г. Иванова, А.А. Абидалкарим // Моделирование систем и процессов. – 2019. – Т. 12, № 2. – С. 32-37.
9. Tapero, K.I. Low dose rate effects in silicon-based devices and integrated circuits: a review / K.I. Tapero // Russian Microelectronics. – 2018. – Т. 47, № 8. – С. 539-552. – DOI: 10.1134/S1063739718080127.
10. Исследование влияния силы тока на изменение длины волны, соответствующей максимуму излучения индикатора красного цвета свечения / Ф.В. Макаренко, М.И. Черных, К.В. Зольников, В.Н. Макаренко // Моделирование систем и процессов. – 2018. – Т. 11, № 3. – С. 39-44.
11. Создание схемотехнического и конструктивно-технологического базиса микросхем специального назначения / В.К. Зольников, В.П. Крюков, А.Ю. Кулай, Ю.К. Фортинский, И.И. Струков, М.В. Солодилов // Моделирование систем и процессов. – 2017. – Т. 10, № 1. – С. 27-29.
12. Меерсон, В.Э. Общая характеристика ионизирующих излучений космического пространства, влияющих на работу бортовой аппаратуры космических аппаратов / В.Э. Меерсон, Е.Д. Богачева // Моделирование систем и процессов. – 2017. – Т. 10, № 1. – С. 37-40.
