КЛЮЧЕВЫЕ ФАКТОРЫ, ВЛИЯЮЩИЕ НА НЕВЯЗКУ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ И МОДЕЛЬНЫХ КРИВЫХ, ПРИ МОДЕЛИРОВАНИИ P–N- ПЕРЕХОДА НА ИМПУЛЬСНЫХ ШИРОКОПОЛОСНЫХ СИГНАЛАХ
Авторы:
1.
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
2.
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Тип:
Статья конференции
Опубликовано:
29.12.2021
Классификаторы:
УДК 62 Инженерное дело. Техника в целом. Транспорт
ГРНТИ 47.01 Общие вопросы электроники и радиотехники
ББК 302 Проектирование
ГРНТИ 47.01 Общие вопросы электроники и радиотехники
ББК 302 Проектирование
Язык материала:
русский
Ключевые слова:
p–n- переход, последовательное сопротивление потерь, SPICE-модель, диффузионный заряд
Аннотация (русский):
В статье рассмотрены ключевые факторы, влияющие на невязку экспериментальных и модельных кривых, при моделировании p–n-перехода на импульсных широкополосных сигналах. Причина невязки заключается в квазистатическом представлении процессов прямого и обратного восстановления p–n-перехода в стандартной SPICE-модели. Квазистатическое приближение не учитывает переходные процессы в p–n-переходе, которые связанны со временем протекания неосновных носителей заряда и последовательным сопротивлением потерь.
В статье рассмотрены ключевые факторы, влияющие на невязку экспериментальных и модельных кривых, при моделировании p–n-перехода на импульсных широкополосных сигналах. Причина невязки заключается в квазистатическом представлении процессов прямого и обратного восстановления p–n-перехода в стандартной SPICE-модели. Квазистатическое приближение не учитывает переходные процессы в p–n-переходе, которые связанны со временем протекания неосновных носителей заряда и последовательным сопротивлением потерь.
Ключевые слова:
p–n- переход, последовательное сопротивление потерь, SPICE-модель, диффузионный заряд
p–n- переход, последовательное сопротивление потерь, SPICE-модель, диффузионный заряд
1. Ebers, J.J. Moll, J.L. Large-Signal Behavior of Junction Transistors, Proceedings of the IRE, vol. 42, pp. 1761 - 1772.
2. Arkaprava Bhattacharyya. NQS Effects Investigation For Compact Bipolar Transistor Modeling, 2014. – 156 с.
3. Tseng K.J. Int. J. Electron. – 1998. – V. 84. – P. 437–444.
4. Lauritzen P., Ma C. IEEE Trans. Power Electron. – 1991. – V. 6. – No. 2. – P. 188–191.
5. Yang A.T., Liu Yu, Yao J.T. IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Inte-grated Circuits and Systems. – 1994. – V. 13. – No. 2. – P. 231–23.
