Russian Federation
The article describes the mathematical and algorithmic foundations of 3D simulation of electronic component base CAD on the basis of synthesis of virtual reality influences of gravity and lead nuclear particles on CMOS structures.
CAD, 3D modeling, heavy nuclear particles, radiation-resistant elements, CMOS structure.
I. ВВЕДЕНИЕ
В настоящее время в связи с освоением космического пространства возрастает роль проектирования СБИС специального назначения на КМОП - структурах с требуемой радиационной стойкостью по различным видам воздействий тяжёлых заряженных частиц.
Проведение натурных экспериментов такого рода в современных условиях на этапах проектирования и выполнения различного рода НИОКР имеют следующие недостатки:
- требуются значительные денежные затраты, которые могут занимать более 50% от всей стоимости НИОКР;
- значительные временные затраты по сравнению с остальными этапами НИОКР (также сами измерения и обработка результатов экспериментов могут занимать до 70% общего времени НИОКР);
- ограничено количество проведения натурных экспериментов (несколькими десятками);
- проверка схем на различные виды радиационного воздействия осуществляется (как правило) без изменения в пространстве положения проверяемого СБИС специального назначения.
Учитывая тот факт, что на современном этапе разработано множество апробированных достоверных математических моделей воздействия тяжёлых ядерных частиц на материалы, используемые в КМОП – структурах, а также развитие информационных технологий, связанных с 3D моделированием объектов окружающего мира имеется возможность воспроиз-ведения элементов электронной компонентной базы с использованием синтеза виртуальной реальности.
Однако при таком подходе возникает проблема взаимосвязи математических моделей оценки воздействий тяжёлых ядерных частиц с проектируемыми элементами электронной компонентной базы на основе 3D моделирования объектов для синтеза виртуальной реальности. Именно этим вопросам посвящена данная работа.
1. Tapero, K. I. Vliyanie strukturnykh povrezhdeniy na kinetiku nakopleniya zaryadov v strukture Si/SiO2 [Tekst ]/ K. I. Tapero. Vestnik Voronezhskogo gosudarstvennogo tekhnicheskogo universiteta. – 2011. – T. 7. – № 6. – S. 209-214.
2. Lavlinskiy, V. V. Vidy i etapy verifikatsionnykh protsedur sistem na kristalle [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, V. A. Sklyar. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2011. – № 4. – S. 61-63.
