Россия
В статье приводятся математические и алгоритмические основы 3D моделирования элементов электронной компонентной базы САПР на основе использования синтеза виртуальной реальности воздействий тяжёлых ядерных частиц на КМОП-структуры.
САПР, 3D моделирование, тяжёлые ядерные частицы, радиационностойкие элементы, КМОП – структура.
I. ВВЕДЕНИЕ
В настоящее время в связи с освоением космического пространства возрастает роль проектирования СБИС специального назначения на КМОП - структурах с требуемой радиационной стойкостью по различным видам воздействий тяжёлых заряженных частиц.
Проведение натурных экспериментов такого рода в современных условиях на этапах проектирования и выполнения различного рода НИОКР имеют следующие недостатки:
- требуются значительные денежные затраты, которые могут занимать более 50% от всей стоимости НИОКР;
- значительные временные затраты по сравнению с остальными этапами НИОКР (также сами измерения и обработка результатов экспериментов могут занимать до 70% общего времени НИОКР);
- ограничено количество проведения натурных экспериментов (несколькими десятками);
- проверка схем на различные виды радиационного воздействия осуществляется (как правило) без изменения в пространстве положения проверяемого СБИС специального назначения.
Учитывая тот факт, что на современном этапе разработано множество апробированных достоверных математических моделей воздействия тяжёлых ядерных частиц на материалы, используемые в КМОП – структурах, а также развитие информационных технологий, связанных с 3D моделированием объектов окружающего мира имеется возможность воспроиз-ведения элементов электронной компонентной базы с использованием синтеза виртуальной реальности.
Однако при таком подходе возникает проблема взаимосвязи математических моделей оценки воздействий тяжёлых ядерных частиц с проектируемыми элементами электронной компонентной базы на основе 3D моделирования объектов для синтеза виртуальной реальности. Именно этим вопросам посвящена данная работа.
1. Таперо, К. И. Влияние структурных повреждений на кинетику накопления зарядов в структуре Si/SiO2 [Текст ]/ К. И. Таперо // Вестник Воронежского государственного технического университета. – 2011. – Т. 7. – № 6. – С. 209-214.
2. Лавлинский, В. В. Виды и этапы верификационных процедур систем на кристалле [Текст] / В. В. Лавлинский, В. А. Скляр // Моделирование систем и процессов. – 2011. – № 4. – С. 61-63.
