Russian Federation
In article is considered possibility of the object-oriented programming language in the making models to formalize procedures of the designing mos-transistor.
formalization of the designing procedures, CAD, MOS-transistors, object-oriented programming language.
I. Введение
В настоящее время расширяются возможности объектно-ориентированных языков программирования, совершенствуются методы 3D графического представления объектов и методы синтеза виртуальной реальности. Одним из таких направлений исследования являются методы синтеза виртуальной реальности с использованием объектно-ориентированных языков программирования. Тем не менее возникает задача согласования таких методов для проектирования элементов электронной компонентной базы. С этой целью возникает необходимость в формализации процедур проектирования электронной компонентной базы применительно к методам синтеза виртуальной реальности с учётом подходов объектно-ориентированного языка программирования применительно к С++Builder.
Поэтому в данной статье рассматриваются модели для формализации процедур проектирования электронной компонентной базы (на примере МОП - транзисторов) применительно к методам объектно-ориентированного программирования для САПР.
1. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya komponentov dlya sistem avtomatizatsii proektirovaniya elektronnoy bazy na osnove sinteza virtual´noy real´nosti [Tekst]. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2013. – № 3. – S. 16-20.
2. Sklyar, V. A. Obzor programm dlya SAPR submikronnykh SBIS [Tekst] / V. A. Sklyar, K. V. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy, S. A. Evdokimova, V. I. Antsiferova. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2013. – № 2. – S. 72-76.
3. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi yadernymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. – 2014. – № 4. – S. 24-32.
4. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie issledovaniya modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti pri vozdeystvii tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. – 2014. – № 4. – S. 33-35.
5. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2013. – № 3. – S. 20-25.
6. Zol´nikov, V. K. Modelirovanie ionizatsionnykh effektov i effektov smeshcheniya v tsifrovykh mikroskhemakh dlya SAPR [Tekst] / V. K. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy, Yu. A. Chevychelov, Yu. S. Serbulov, V. I. Antsiferova, V. N. Achkasov, Yu. G. Tabakov. Lesotekhnicheskiy zhurnal. – 2014. – T.4. №4 (16). – S. 280-291.
7. Lavlinskiy, V. V. Analiz matematicheskikh zavisimostey EKV modeli dlya formalizatsii protsedur proektirovaniya MOP-tranzistorov [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A.Kh.Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2015. – T. 8. № 4. – S. 27-33.
8. Zhvad, A. Kh. Kh. Osnovy formalizatsii protsedur proektirovaniya MOP-tranzistorov v SAPR / A.Kh.Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2015. – T. 8. № 4. – S. 5-7.
