Россия
В статье рассматриваются возможности объектно-ориентированного языка программирования в процессе создания моделей для формализации процедур проектирования МОП – транзисторов.
формализация процедур проектирования, САПР, МОП–транзисторы, объектно-ориентированный язык программирования.
I. Введение
В настоящее время расширяются возможности объектно-ориентированных языков программирования, совершенствуются методы 3D графического представления объектов и методы синтеза виртуальной реальности. Одним из таких направлений исследования являются методы синтеза виртуальной реальности с использованием объектно-ориентированных языков программирования. Тем не менее возникает задача согласования таких методов для проектирования элементов электронной компонентной базы. С этой целью возникает необходимость в формализации процедур проектирования электронной компонентной базы применительно к методам синтеза виртуальной реальности с учётом подходов объектно-ориентированного языка программирования применительно к С++Builder.
Поэтому в данной статье рассматриваются модели для формализации процедур проектирования электронной компонентной базы (на примере МОП - транзисторов) применительно к методам объектно-ориентированного программирования для САПР.
1. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования компонентов для систем автоматизации проектирования электронной базы на основе синтеза виртуальной реальности [Текст] // Моделирование систем и процессов. – 2013. – № 3. – С. 16-20.
2. Скляр, В. А. Обзор программ для САПР субмикронных СБИС [Текст] / В. А. Скляр, К. В. Зольников, В. В. Лавлинский, С. А. Евдокимова, В. И. Анциферова // Моделирование систем и процессов. – 2013. – № 2. – С. 72-76.
3. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми ядерными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. – 2014. – № 4. – С. 24-32.
4. Лавлинский, В. В. Теоретические исследования моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности при воздействии тяжёлыми заряженными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. – 2014. – № 4. – С. 33-35.
5. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми заряженными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. – 2013. – № 3. – С. 20-25.
6. Зольников, В. К. Моделирование ионизационных эффектов и эффектов смещения в цифровых микросхемах для САПР [Текст] / В. К. Зольников, В. В. Лавлинский, Ю. А. Чевычелов, Ю. С. Сербулов, В. И. Анциферова, В. Н. Ачкасов, Ю. Г. Табаков // Лесотехнический журнал. – 2014. – Т.4. №4 (16). – С. 280-291.
7. Лавлинский, В. В. Анализ математических зависимостей EKV модели для формализации процедур проектирования МОП-транзисторов [Текст] / В. В. Лавлинский, А.Х.Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. – 2015. – Т. 8. № 4. – С. 27-33.
8. Жвад, А. Х. Х. Основы формализации процедур проектирования МОП-транзисторов в САПР / А.Х.Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. – 2015. – Т. 8. № 4. – С. 5-7.
