Russian Federation
Russian Federation
The paper discusses the changes in the circuit parameters under the influence of low-intensive radiation of space factors. Lighted modeling of process of accumulation of defects for low-intensity radiation.
computer-aided design, radiation, chip.
Рассматривается моделирование накопления заряда в полупроводниковых структурах КМОП транзистора при воздействии излучения малой мощности; предложены соотношения для изменения порогового напряжения и подвижности в зависимости от мощности дозы, времени и температуры; рассматриваются методы получения всех коэффициентов в данных соотношениях для различных технологий, топологических норм и схемотехнических решений [1-4].
1. Sklyar, V. A. Proektirovanie i ispytaniya mikroskhem dlya sistem sbora i obrabotki informatsii [Tekst] / V. A. Sklyar, A. V. Achkasov, K. V. Zol´nikov. Radiotekhnika. – 2014. – № 6. – S. 94-98.
2. Zol´nikov, K. V. Metod i algoritm poiska defektov dlya radiatsionno-stoykikh mikroskhem [Tekst] / K. V. Zol´nikov, V. A. Sklyar, V. P. Kryukov, A. V. Achkasov, V. I. Antsiferova, S. A. Evdokimova. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. – 2014. – № 2. – S. 10-13.
3. Sklyar, V. A. Obzor programm dlya SAPR submikronnykh SBIS [Tekst] / V. A. Sklyar, K. V. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy, S. A. Evdokimova, V. I. Antsiferova. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2013. – № 2. – S. 72-76.
4. Achkasov, V. N. Algoritm modelirovaniya rabotosposobnosti mikroskhem v usloviyakh vozdeystviya vneshnikh faktorov v podsisteme SAPR IET [Tekst] / V. N. Achkasov, K. V. Zol´nikov. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2013. – № 4. – S. 16-19.
5. Tapero, K. I. Kinetika nakopleniya i otzhiga radiatsionnykh defektov v aktivnykh oblastyakh kremnievykh MOP i KMOP struktur. [Tekst] : dis. … kand. f.-m. nauk / K. I. Tapero. – Moskva, 1997.
