Research of possibility of receiving multilayered metallization on a silicon surface with use of an amorphous alloy as a diffusive barrier is conducted.
metallization, silicon, amorphous alloy
Наиболее часто процессы, протекающие в контактах «металл-полу-проводник», связывают со свойствами полупроводникового материала. Роль металла и его кристаллической структуры в этих процессах изучены недостаточно и в большинстве случаев их влиянием пренебрегают.
1. Pashaev I.G. Vliyanie razlichnykh obrabotok na svoystva diodov Shottki. Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 2012, tom 46, vyp. 8. - S.1108-1110
2. Elzenberg M., Foell H., Tu K.N. Formation of shallow Schottky contacts to Si using Pt –Si and Pd –Si alloy films //J. Appl. Phys. -1981. –Vol. 52, N 2,.rr. 861-868.
3. Tsaur B.J., Silversmith D.J. Effect interface structure on the electrical characteristics of – Schottky barrier contacts//Thin Solid Films -1982 –Vol. 93, - R. 331-340.
4. Solomonson G., Holm E.K., Finsted T.G. A study of Ti as a diffusion barrier between PtSi or and . Phys. SCR. 1981, Vol. 24, № 2. - R. 401-404.
5. I. G. Pashayev The Influence of Ultrasonic Treatment on the Properties of Schottky Diodes. Open Journal of Acoustics, 2013, 3, 9-12
